# TBC-Solarzellentechnologie (TOPCon-Rückkontakt): Vollständig > Eine detaillierte Erläuterung der TBC-Solarzellentechnologie (TOPCon Back Contact / POLO-IBC), einschließlich ihrer Struktur und des vollständigen Prozessablaufs ![TBC-Solarzellentechnologie (TOPCon-Rückkontakt): Vollständig](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20260712/b328022a0ca3c179e39311d2ccf4fb5d.webp) - ** 2026-07-12 - ** 438 Aufrufe - ** [Blog](./Blog.html) ## TBC-Solarzellentechnologie (TOPCon-Rückkontakt): Vollständig **Kurze Antwort:** TBC, oder TOPCon Back Contact, ist eine Rückkontaktzelle, die einen TOPCon-passivierenden Kontakt auf der Rückseite anstelle eines Heterojunction-Kontakts verwendet. Sie liegt innerhalb einer breiteren Routensequenz, in der sich die Industrie von gleichmäßigen Rückseiten hin zu regional differenzierten Rückseitenarchitekturen bewegt, wobei jedem Bereich der Rückseite ein anderer Kontakttyp zugewiesen wird. Für einen Hersteller liegt die Bedeutung von TBC in der Prozesskompatibilität: Da es auf TOPCon-Prozessschritten aufbaut, die bereits in den Linien laufen, ist es die Rückkontaktvariante, deren Einführung aus einer installierten TOPCon-Basis am wenigsten kostet. Die damit verbundene Mess- und Charakterisierungsarbeit – Werkzeuge zur Ladungsträgerlebensdauer wie die WCT-120-Klasse – wird bei TBC wichtiger als bei einer Vorderkontaktzelle, da das Rückseitenmuster der Bereich ist, in dem die Passivierungsqualität tatsächlich den Wirkungsgrad entscheidet. Auch die Inspektion der Rückseite wird zu einem Werkzeug für die Ausbeute statt zu einer Qualitätskontrolle. PV-Modulfertigung · von Jerry, Ooitech ## Technologieübersicht Wo TBC in der weiteren Routensequenz liegt und warum Prozesskompatibilität jetzt wichtiger ist als Struktur, wird im [BC-Zelltechnologie-Roadmap: von der Struktur zum Prozess](https://www.ooitech.com/bc-cell-technology-roadmap-structure-to-process.html). Der folgende Inhalt wird nur zu Referenzzwecken geteilt. Bei technischen Verstößen oder falschen Anleitungen kontaktieren Sie bitte den Autor zur Entfernung oder Korrektur. ### Was ist eine TBC-Zelle? TBC steht für [TOPCon](https://www.ooitech.com/what-is-topcon-solar-cell-a-complete-guide-to-tunnel-oxide-passivated-contact-technology.html) Back Contact. Es kombiniert die TOPCon-Passivierung (Tunneloxid plus Polysilizium) mit der interdigitalen Rückkontaktstruktur von IBC, weshalb es auch als POLO-IBC-Zelle bezeichnet wird. Es integriert tiefgreifend die TOPCon-Tunneloxid-/Poly-Si-Passivierung mit dem IBC-Back-Contact-Layout. Das bietet die starke Rückseitenpassivierung von TOPCon plus den IBC-Vorteil ohne Front-Gridline-Verschattung, wobei die gesamte Stromsammlung auf die Rückseite verlagert wird. Das Ergebnis ist eine höhere Leerlaufspannung und ein höherer Kurzschlussstrom. Es ist einer der Mainstream-Wege für hocheffiziente N-Typ-Zellen der nächsten Generation. ### Kernvorteile - Keine Front-Metall-Gridlines, daher wird der Front-Verschattungsverlust eliminiert und Isc steigt - TOPCon-Tunnelpassivierung reduziert die Rückseitenrekombination und erhöht Voc - Das interdigitierte P/N-Rückkontakt-Layout optimiert den Ladungsträgersammelpfad und reduziert den Serienwiderstand - Im Vergleich zu Standard-TOPCon und Standard-IBC balanciert es Passivierungsqualität und strukturelle Integration - Kompatibel mit den meisten Kernanlagen bestehender N-Typ-Linien, sodass der Prozess schrittweise aufgerüstet werden kann ### Vergleich mit konventionellen Zellen - Standard-TOPCon: Front-Gridline-Verschattung, vollflächige TOPCon-Passivierung auf der Rückseite - Standard-IBC: Back-Contact-Struktur, aber Passivierung basiert auf Siliziumoxid/Siliziumnitrid, keine Tunnel-Poly-Si-Passivierung - TBC (POLO-IBC): IBC-Back-Contact-Struktur plus integrierte TOPCon-Tunnelpassivierung, sodass sowohl Struktur als auch Passivierung optimiert sind ## Übersicht über den vollständigen Prozessablauf Wafer-Eingang → Vorreinigung / Entfernung von Sägeschäden → hintere Tunneloxid- + poly-Si-Abscheidung (LPCVD) → hintere SiN-Maskenabscheidung → erste hintere Laseröffnung (Borbereich) → Bordotierung (p-poly) → zweite hintere Laseröffnung (Phosphorbereich) → Phosphordotierung (n-poly) → Reinigung zum Entfernen von Wrap-around-Diffusion / BSG / PSG → Abscheidung der hinteren Passivierungsschicht → Wachsmaskendruck zum Schutz der Rückseite → Front-Texturierung + P/N-Isolationsätzung → Front- und Rückseiten-SiN-Antireflex-Passivierungsschichtabscheidung → Siebdruck der hinteren Metallelektrode → Feuern → elektrischer Test → Sortierung und Verpackung ## Detaillierte Prozessspezifikationen ### 3.1 Reinigung und Politur (Vorreinigung + Entfernung von Sägeschäden) Zweck: Entfernung der Sägeschadenschicht, Metallverunreinigungen an der Oberfläche, Partikel und Öl; Politur des Wafers ein- oder beidseitig, um eine saubere, flache Siliziumbasis zu erhalten und die spätere gleichmäßige Abscheidung der Tunnelschicht zu gewährleisten. Hauptausrüstung: Inline-Nassreinigungs- und Polierlinie, alkalische Polierwanne, Säurereinigungswanne. Wichtige Chemikalien: starke Base (NaOH/KOH), HF, HCl, IPA, Texturierungsadditiv, Tensid. Wichtige Überwachungspunkte: - Poliergewichtsverlust: elektronische Waage - Oberflächenreflexion: Reflexionsmessgerät - Minoritätsträgerlebensdauer iVoc: WCT-120 Transient-Lebensdauertester - Trägerrekombinations-Bildgebung: PL-Tester (R3-PL) - Oberflächenrauheit und Sauberkeit: optisches Mikroskop Qualitätskontrolle: Sägeschäden vollständig entfernt, keine Flecken oder Stufen auf der Oberfläche, gleichmäßiger Gewichtsverlust, kein offensichtlicher Lebensdauerabfall. ### 3.2 Tunneloxid- + poly-Si-Abscheidung Zweck: Aufwachsen eines ultradünnen Tunneloxids (SiO₂) und anschließend einer intrinsischen poly-Si-Schicht auf der Waferrückseite, Bildung der Kern-TOPCon-Passivierungsstruktur für starke Feld- und chemische Passivierung und geringe Rückrekombination. Hauptausrüstung: Rohr-LPCVD. Gasquellen: SiH₄, O₂, N₂ (Träger-/Spülgas). Wichtige Punkte: - poly-Si-Dicke: poly-Dickenmessgerät, Ellipsometer - Tunneloxiddicke: ECV, Ellipsometer - iVoc (WCT-120) - PL-Gleichmäßigkeit - Schichtwiderstand (intrinsische poly-Überwachung vor der Dotierung) Qualitätskontrolle: Oxid ultradünn und gleichmäßig, poly-Si dicht und pinholefrei, gute Dickengleichmäßigkeit über den gesamten Wafer. ### 3.3 Rückseitige SiN-Maskenabscheidung Zweck: Abscheidung einer dichten Siliziumnitridschicht (SiNₓ) auf dem intrinsischen poly-Si als Blockiermaske für die spätere Laseröffnung und Dotierungsschritte, wodurch selektive Dotierungszonen ermöglicht werden. Hauptausrüstung: PECVD. Gasquellen: SiH₄, NH₃, N₂. Wesentliche Prüfpunkte: SiN-Dicke (spektroskopisches Ellipsometer), Brechungsindex und Gleichmäßigkeit, iVoc, PL-Gleichmäßigkeit. Qualitätskontrolle: dichte Maske, keine Pinholes, gleichmäßige Dicke, um Dotierungsisolation zu gewährleisten. ### 3.4 Erste rückseitige Laseröffnung (Bor-Diffusionsfenster) Zweck: Selektives Entfernen der SiN-Maske über dem Bor-Diffusionsbereich durch lokale Laserablation, während das darunterliegende intrinsische poly-Si erhalten bleibt, wodurch das Fenster für das spätere p-Typ-poly geöffnet wird. Hauptausrüstung: Faser-/Nanosekunden- oder Pikosekunden-Laseröffnungssystem, hochpräzises Laser-Musterungswerkzeug. Prozessabstimmung: Anpassen von Laserleistung, Wiederholrate, Scangeschwindigkeit und Spot-Überlappung, sodass nur die obere SiN-Maske entfernt wird und das darunterliegende intrinsische poly-Si nicht beschädigt wird, wodurch die Passivierungsbasis intakt bleibt. Wesentliche Charakterisierung: Lichtmikroskopische Prüfung der Rillenform, Kantenintegrität und ob die Poly-Schicht verbrannt ist. ### 3.5 Rückseitige Bor-Dotierung (p-poly) Zweck: Bor-Diffusion in das intrinsische poly-Si im geöffneten Bereich, um es in p-Typ hochdotiertes poly (p-poly) umzuwandeln, während sich auf der Oberfläche BSG bildet. Das BSG dient später als natürliche Blockiermaske für die Phosphordiffusion. Hauptausrüstung: Rohr-Bor-Diffusionsofen. Prozessmedien: Flüssigquelle BBr₃; Umgebung O₂, N₂. Wesentliche Charakterisierung: Schichtwiderstand der p-Zone, Dotierungsgleichmäßigkeit, BSG-Abdeckungsintegrität, PL-Dotierungsgleichmäßigkeit. Qualitätskontrolle: ausreichende Bor-Dotierung, gleichmäßiger Schichtwiderstand, durchgehendes und vollständiges BSG ohne lokale Lücken. ### 3.6 Zweite rückseitige Laseröffnung (Phosphor-Diffusionsfenster) Zweck: Entfernen der verbleibenden SiN-Maske, um das undotierte intrinsische poly-Si als n-Typ-Phosphor-Dotierungszone freizulegen, während die bereits gebildete BSG-Schicht vor Laserschäden geschützt bleibt. Hauptausrüstung: Laser-Musterungs-/Öffnungssystem. Prozessfokus: präzise Laserenergiesteuerung, um ein Durchschlagen der BSG-Schicht zu vermeiden und eine saubere Isolationsgrenze zwischen P- und N-Zonen zu erhalten. ### 3.7 Rückseitige Phosphordotierung (n-poly) Zweck: Phosphordiffusion in das intrinsische poly-Si des zweiten Fensters, um stark dotiertes n-Typ-Poly (n-poly) zu bilden. Das im vorherigen Schritt gebildete BSG wirkt als selbstjustierende Maske, blockiert die Phosphordiffusion in den p-poly-Bereich und erreicht eine Selbstisolierung der P/N-Zonen. Hauptausrüstung: Rohrphosphordiffusionsofen. Prozessmedien: Flüssigquelle POCl₃; Umgebung O₂, N₂. Schlüsselprinzip: Das restliche BSG wirkt als natürliche Diffusionsbarriere und verhindert eine Phosphorkontamination des p-poly-Bereichs. Nach der Phosphordiffusion wandelt sich das BSG teilweise in ein Bor-Phosphor-Mischoxid um, was die Isolierung weiter verstärkt. Schlüsselcharakterisierung: Schichtwiderstand der n-Zone, P/N-Grenzisolierung, Leckstrom-Trendüberwachung. ### 3.8 Reinigung zum Entfernen der Wrap-around-Diffusion (BSG/PSG-Entfernung) Zweck: chemisches Entfernen aller BSG-, PSG- und Oberflächenrückstände sowie Entfernen der Kanten-Wrap-around- und Seitendotierschichten, um Kantenleckagen zu vermeiden. Hauptausrüstung: Inline-Nassreinigungsanlage. Schlüsselchemikalien: hauptsächlich HF, plus saure Zusätze und ein gepuffertes Säuresystem. Prozesshilfsmittel: saubere Druckluftabblasung, Heißlufttrocknung. Qualitätskontrolle: Oxidglas vollständig entfernt, saubere Oberfläche ohne Rückstände, keine Wrap-around-Rückstände an den Kanten. ### 3.9 Rückseitige SiN-Passivierungsschutzschicht-Abscheidung Zweck: Abscheidung einer SiN-Passivierungsschutzschicht auf der rückseitigen interdigitalen P/N-Poly-Struktur, um den Rückkontaktbereich zu passivieren und zu schützen und chemische Angriffe in späteren Schritten zu blockieren. Hauptausrüstung: PECVD. Gasquellen: SiH₄, NH₃, N₂. Charakterisierung: SiN-Dicke, Brechungsindex, Schichtgleichmäßigkeit. ### 3.10 Rückseitige Wachsmaske-Beschichtung (Schutzmaske) Zweck: vollständiges Beschichten der Rückseite mit einer Wachsschutzschicht durch Siebdruck, um die gebildete P/N-Rückkontaktstruktur und die SiN-Schicht abzuschirmen und zu verhindern, dass der spätere Frontätzprozess die rückseitigen Funktionsschichten angreift. Hauptausrüstung: Siebdrucker (Wachsdruckstation). Kontrollfokus: vollständiger Wachsdruck, kein Überspringen, keine Nadellöcher, gute Kantenabdichtung, sodass die Rückseite während des gesamten Prozesses geschützt bleibt. ### 3.11 Frontseiten-Chemisches Ätzen + Wachsabzug und Reinigung Zweck: 1. Entfernen überschüssiger Dotierung und Schädigungsschichten auf der Wafer-Vorderseite 2. Texturierung der Vorderseite zur Bildung einer Pyramidenoberfläche und Reduzierung der Frontreflexion 3. Erzielung einer Kantenisolation zwischen den rückseitigen P- und N-Zonen durch laterales Ätzen zur Reduzierung von Kantenleckströmen 4. Abschließendes Entfernen der rückseitigen Wachsmaske, um die vollständige Rückkontaktstruktur freizulegen Hauptausrüstung: Doppelseitige Inline-Nassätz- und Texturierungslinie. Wichtige Chemikalien: starke Lauge (NaOH), HF, Texturierungsadditiv, gepufferte Ätzlösung. Gasquellen: saubere Druckluft, N₂-Abblasung. Qualitätskontrolle: gleichmäßige Fronttexturierung, qualifizierte Pyramidenmorphologie, ordnungsgemäße P/N-Isolation, kein Leckpfad, sauberer Wachsabzug ohne Rückstände. ### 3.12 Front- und Rückseiten-SiN-Antireflex-Passivierungsschicht Zweck: Abscheidung einer SiN-Antireflex-Passivierungsschicht auf der Vorderseite für Antireflexion und Oberflächenpassivierung; Hinzufügen und Optimieren der rückseitigen Passivierungsschicht zur weiteren Verbesserung von Passivierung und Zuverlässigkeit. Hauptausrüstung: PECVD. Gasquellen: SiH₄, NH₃, N₂. Charakterisierung: Schichtdicke vorne und hinten, Brechungsindex, Minoritätsträgerlebensdauer, Reflexionsgrad. ### 3.13 Rückseitige Elektroden-Siebdruck und Feuern Zweck: Druck von Silber-Aluminium-Elektroden auf der rückseitigen P-Zone und Silberelektroden auf der n-Typ-Poly-Zone zur Bildung der interdigitierten Rückkontakt-Positiv- und Negativ-Elektroden, dann Verwendung von Hochtemperatur-Feuern zur Bildung eines ohmschen Kontakts zwischen Metall und dotiertem Poly-Si. Hauptausrüstung: Spezieller Rückkontakt-Siebdrucker, Inline-Feuerofen. Wichtige Schritte: Ausrichtung und Druck des rückseitigen Elektrodenmusters → Trocknen → Hochtemperatur-Feuern (Bildung des ohmschen Kontakts). ### 3.14 Endkontrolle und Sortierung Prozessinhalt: EL-Inspektion (Defekte, Mikrorisse, Leckagen), IV-Elektrischer Test (Voc, Isc, FF, Eff), Sichtprüfung, Einstufung und Sortierung, Verpackung und Einlagerung. Inspektionsausrüstung: EL-Tester, IV-Tester, Sichtprüfstation. ## Wichtige Herausforderungen und worauf zu achten ist Was sind die schwierigen Teile der TBC-Technologie und worauf sollte man sich konzentrieren? - Die Kontrolle der Dickengleichmäßigkeit des ultradünnen Tunneloxids ist schwierig - Die beiden Laseröffnungsschritte erfordern eine extrem hohe Ausrichtungsgenauigkeit - Die Aufrechterhaltung der selbstjustierenden BSG-Maske ist der Kern des Prozesses - Der interdigitierte Isolationsätzprozess für P/N neigt zu Kantenleckströmen - Der Druck der Rückkontakt-Elektroden erfordert eine höhere Ausrichtungsgenauigkeit als bei herkömmlichen Zellen - Die Kontrolle des Abklingens der Minoritätsträgerlebensdauer über den gesamten Prozessablauf ist schwierig ### Wichtige SPC-Parameter, die zu überwachen sind - Tunneloxiddicke und Poly-Si-Dicke - Laseröffnungsmorphologie und Ausrichtungsabweichung für beide Schritte - Gleichmäßigkeit des Schichtwiderstands der Bor- und Phosphordiffusion - iVoc und PL-Minoritätsträgerlebensdauer, über den gesamten Prozessablauf verfolgt - Frontreflexion und Texturierungsmorphologie - EL-Mikrorisse, Leckströme und Isolationsstatus der Kanten ## Ooitechs Ansicht TBC lebt oder stirbt mit den Details, und die selbstjustierende BSG-Maske ist hier der stille Held, da sie es ermöglicht, dass sich Phosphor- und Borzonen ohne einen dritten Maskenschritt selbst sortieren. Was wir an Modullinien am meisten beobachten, ist, wie sich diese Rückkontaktzellen mit hoher Leerlaufspannung nachgelagert beim Stringen und Laminieren verhalten, da ihre vollständige Rückseitenmetallisierung das Verbindungsspiel verändert. Wenn Sie echte N-Typ-Modullinien in Betrieb sehen möchten, finden Sie auf unserem YouTube-Kanal [www.youtube.com/ooitech](http://www.youtube.com/ooitech) Fabrikaufnahmen, die einen Blick wert sind. --- ##### Schlagwörter: ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h700_fitblur_v2_w800_h700_fitblur_v2_1757399770541443.webp) ### Angebot anfordern Alle Uploads sind sicher und vertraulich. ## Wir liefern Fachwissen, dem Sie vertrauen können unseren Service Direkt ab Werk Ausrüstung. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/money-2.svg) ### Kosteneffektive Vorteile Wir liefern außergewöhnlichen Wert, maximieren Ergebnisse und optimieren Budgets für Kunden. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/staff.svg) ### Unser erfahrenes Team Unsere qualifizierten Fachkräfte spezialisieren sich auf innovative Lösungen und maßgeschneiderte Strategien. ![](/template/ooitech/assets/img/icon/certified.svg) ### 15+ Jahre Branchenerfahrung Tiefes Fachwissen gewährleistet zuverlässige, trendbewusste und bewährte Ergebnisse für den Erfolg. ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477357667605.webp ) ![](https://cdn.ooitech.com/static/upload/image/20250910/1757477724911512.webp) ![](/template/ooitech/assets/img/shape/06.png) ## Was unsere Kunden sagen über uns Kundenreferenzen loben unser tiefes Verständnis ihrer Herausforderungen, das zu innovativen Lösungen und starkem ROI führt. Langfristige Kooperationen – einige über ein Jahrzehnt – zeigen ihr Vertrauen und ihre Zufriedenheit. Ihre Erfolgsgeschichten treiben uns an, die Erwartungen ständig zu übertreffen. [Mehr erfahren **](#quote-form) ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Dank an Ooitech für die Bereitstellung hochgeeigneter BC-Solarzellen-Experimentiergeräte. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1776426122864564.webp) ### KTECH ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Dank an Ooitech für die Bereitstellung der vollautomatischen Produktionsausrüstung – Ihre Installation und Ihr Kundendienst waren ausgezeichnet. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041720921238.webp) ### Amjad ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Nochmals vielen Dank für die sehr große Hilfe bei der Verbesserung und Reparatur der Fabrik sowie für die Schulung der Arbeiter im Umgang mit den Maschinen. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1757479675272137.webp) ### Mark BIPV Philippinen ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Ein Mann mit einer großen Seele. Vielen Dank für Ihren Besuch, Herr Wu. Vielen Dank für die Dienstleistungen bei der Installation der Ausrüstung und der Schulung meiner Studenten. Die freundlichste Person und ein Profi auf seinem Gebiet ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026041716444445.webp) ### Jizzakh Polytechnic Institute ![](/template/ooitech/assets/img/icon/quote.svg) Vielen Dank für ooitechs professionelle Unterstützung und den pünktlichen Kundendienst. ![](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1784509010217979.webp) ### Diarra aus Afrika ## Unsere neuesten Produkte ![Solarzellen-Layup-Maschine WS-CL80D: 48s Zyklus, ±0,1mm](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774318047382785.webp) - [** Rachael](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) - [** 12336](./automatic-solar-cell-layup-machine-ws-cl80d-high-speed-mbb-half-cell-string-laying-equipment-for-solar-panel-production-line.html) ### Solarzellen-Layup-Maschine WS-CL80D: 48s Zyklus, ±0,1mm Die Ooitech WS-CL80D Automatische Solarzellen-Layup-Maschine verfügt über einen unabhängigen Betrieb mit Doppelportal und Doppelgreifer sowie eine linear motorgetriebene Hauptachse mit 0,01 mm ![Automatischer BIPV-Laminator mit Einzelkammer und Doppelkammer](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774438506273987.webp) - [** Rachael](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) - [** 63274](./single-layer-double-chamber-automatic-bipv-laminator-otcy-2754dd-ooitech-solar-panel-lamination-equipment.html) ### Automatischer BIPV-Laminator mit Einzelkammer und Doppelkammer Ooitech OTCY-2754DD Einzel-Schicht-Doppelkammer-Automatik-BIPV-Laminator verfügt über 2700x5400mm Doppellaminationsbereiche, obere und untere Doppelheizung ![Solarpanel-Dichtstoff und -Band — Silikon, Butyl, Busbar](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_2026032711586064.jpg.webp) - [** Rachael](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) - [** 73088](./PV-Module-Sealant-Tape-Solutions-Essential-Components-for-Solar-Panel-Reliability.html) ### Solarpanel-Dichtstoff und -Band — Silikon, Butyl, Busbar Solarpanel-Dichtstoff und -Band für die Modulmontage: Silikon-Rahmendichtstoff, Butylband und Busbar-Isolierband, UV-beständig für 25 Jahre Außenbewitterung. ![KS-01C Anschlussdose-Schweißmaschine: 16s Zyklus](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774492507915923.webp) - [** Rachael](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) - [** 92407](./junction-box-welding-machine-ks-01c-automatic-solar-panel-junction-box-soldering-equipment-ooitech.html) ### KS-01C Anschlussdose-Schweißmaschine: 16s Zyklus Ooitech KS-01C Anschlussdosen-Schweißmaschine verfügt über automatisches Hot-Bar-Zinnschweißen und Hochfrequenzschweißen mit CCD-Positioniergenauigkeit von ±0,1mm. ![OPT-S110H Offline-String-EL-Tester: ≤2s, 4,6MP](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774350940561245.webp) - [** Rachael](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) - [** 88272](./offline-string-el-tester-opt-s110h-solar-cell-string-electroluminescence-testing-equipment-ooitech.html) ### OPT-S110H Offline-String-EL-Tester: ≤2s, 4,6MP OPT-S110H Offline-String-EL-Tester von Ooitech liefert Hochgeschwindigkeits-Elektrolumineszenz-Inspektion für Solarzellenstrings bis zu 1250mm. ![Zerstörungsfreie Laser-Schneidemaschine für Solarzellen](https://cdn.ooitech.com/runtime/image/w800_h600_fitblur_v2_1774252043927784.webp) - [** ooitech](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) - [** 47287](./GYM-HP8000-Non-Destructive-Solar-Cell-Laser-Cutting-Machine-Advanced-TCS-Technology-for-High-Efficiency-Cell-Production.html) ### Zerstörungsfreie Laser-Schneidemaschine für Solarzellen Professionelle zerstörungsfreie Laser-Schneidemaschine für Solarzellen GYM-HP8000 mit TCS-Technologie, erreicht eine Kapazität von 7600 Stück/h, Bruchrate 0,03%